班行远瞬间想到了这项技术的一个应用，抱着惠安重重的亲了一口。
被突然袭击的惠安掐了班行远一把说：“你疯什么疯啊。”
“是太开心了，老赵立功了。”
“难道说除了给物体上一层坚固的表层还有别的用处？”
“当然了，用处大了，这次真是弯道超车了。看来为常温半导体开发的材料制备技术还有很大的潜力。不是你说起来，我也根本不会想到金刚石还能这么用。当然了功劳还是要记在老赵身上。”
班行远想了一下说：“你这么安排……我设想的这个技术太重要了，研发阶段一定要高度保密，不同环节的人只要做好自己的工作就好了，暂时不要让他们知道别人都做什么。”
惠安点了点头：“我明白，明天就安排。其实这就是一个创意，问题是研究院的科学家没你想得这么全面，想不到还能这么整合。我觉得应该问题不大。”
“如果能成功的话那就太好了。”班行远说：“这样的话西方就彻底锁不住我们了。虽然目前来看效率和成本比较高，但是到了工业化阶段一切都不是问题，都会解决的。而且这能从人们意想不到的方向突破物理的限制，我也没想到还能这么来。”
“而且也未必一定要用金刚石，可以针对性的涉及适合的材料。如果成熟的话，成本和效率反而会降下来。据我所知欧米还没有投入使用的下一代技术要求可是非常苛刻的。而且还要使用复杂的技术才能达到足够的精度，如果找到合适的组合，可以一步到位，直接在物理的极限生产产品。”
第二天惠安在研究院布置了。很多事情要做，首先是建一个最高标准的实验室，不管是技术还是安保。然后是需要的各种材料，要针对技术验证做专门的调整。
好在只是成熟技术的组合，进展很快。只是研究院的工作人员都觉得莫名其妙，老板娘这是要做什么？
很多人不理解，就比如光刻技术课题组的。“院长让我们把最新的加速芯片重新设计成一个夸张的工艺。虽然我们在实验室已经达到了英特尔最先进的量产工艺，经过优化后就能投入工业使用。但是那个精度……有点天方夜谭了吧！”
“是啊是啊，这个工艺水平应该只能用传说中的EUV技术吧，dUV短时间内摸不到。最奇怪的是让我们设计的掩膜是基于84nm波长的光源，这就有点奇怪了。目前最先进的浸润式光刻机用的是192nm光源，过水后实际变成132nm。84nm？这就很奇怪了，这不在任何一个技术路线上。阿斯麦应该是跳过中间阶段，直接用13.4nm的euv。搞不懂……”
……
一个多月后，万事俱备。班行远特意空出来一天的时间，一大早就赶到了研究院。
这时候所有的课题组才第一次见面。惠安首先宣布了保密要求，也没说的太严肃，班行远在这里已经说明这个研究项目的非同小可。
当班行远把自己的想法说出来的时候，会议室立刻炸了锅。
“雾草，我怎么没想到还能这么做！这真是……”光刻技术的首席专家立刻就激动了。
“老张，注意下，尚书在呢。”老赵提醒说。
“太激动了。不过我们老板不会在意的。还等什么啊，开干吧！”
所有人换上防尘服进入了哪个极为尖端的实验室。
一片涂上了光刻胶并经过特殊处理的晶圆交给了老赵，由他给光刻胶表面“镀”上一层金刚石……
班行远想到的不是别的，就是把老赵研究出来的技术用在光刻技术上。这依旧是一种“浸润”式的光刻技术，不过浸润液不是液体，而是固体。谁说浸润一定要用液体呢？
浸润式光刻的核心原理就是用介质改变光源的波长从而达到提升制程的目的。原理很简单，介质中的电磁波的波长和介质的折射率成反比，在折射率大于1的介质中，波长变短了。
浸润式光刻使用的浸润液的折射率自然越大越好，但是考虑制备和理化性质，最终选择的是水。固体的折射率更高，但是不现实。首先高纯度的固体材料很难制备，然后是很难保证和光刻胶完美贴合，只要中间有空气就失效了。
但是研究院的材料技术完美的克服了这些困难。本来就是一层一层生长的，通过一些技术可以把杂质控制在需要的范围。然后直接在光刻胶表面生长，介质材料做到完美贴合。
这样一来，金刚石成了完美的“浸润液”，就一个优点：折射率够高。水的折射率是1.4左右，而金刚石在226.5nm的折射率超过了2.7。波长再短收益就不明显了，金刚石会吸收电磁波导致效率下降。就这那层金刚石也不能做的太厚，超过几微米的话会强烈吸收。
这样一来原本做不了太厚的缺点反而成了优点。
镀上一层金刚石的晶圆送入专门调试的光刻机开始了光刻。然后是离子注入、金属沉积……分割、测试、封装……反正不是一天能完成的。班行远看了一会儿就离开了。
两天后惠安把最终测试结果交给了班行远。“等效10nm工艺？这有点夸张了啊！现在最好的制程是22nm，10nm的话要到4年以后才能量产。那帮家伙觉得量产的可能性怎么样？”
“太可以了。最大的问题是镀金刚石的环节太费时间，其它的没什么难度。而且这也好解决，把设备造大一点，一次对几百片晶圆进行处理，或者多做一些设备，很容易提升效率的。而且不用考虑水在生产中可能出现的气泡之类的问题，反而能提升良率。”